창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP75N3LLH6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx75N3LLH6(-S) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.9m옴 @ 37.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23.8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2030pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-11336-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP75N3LLH6 | |
| 관련 링크 | STP75N, STP75N3LLH6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | RDE5C2A391J0K1H03B | 390pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | RDE5C2A391J0K1H03B.pdf | |
![]() | VJ0603D1R2DXPAP | 1.2pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R2DXPAP.pdf | |
![]() | RG1608P-60R4-D-T5 | RES SMD 60.4 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608P-60R4-D-T5.pdf | |
![]() | TEMSA0J685K8 | TEMSA0J685K8 NEC SMD or Through Hole | TEMSA0J685K8.pdf | |
![]() | SD211DE/R | SD211DE/R PHILIPS CAN4 | SD211DE/R.pdf | |
![]() | RLZ5234B | RLZ5234B ROHM LL-34 | RLZ5234B.pdf | |
![]() | BCM8012SA1KFBG | BCM8012SA1KFBG BROADCOM BGA | BCM8012SA1KFBG.pdf | |
![]() | LTF5022T-100M1R4 | LTF5022T-100M1R4 TDK SMD or Through Hole | LTF5022T-100M1R4.pdf | |
![]() | 3DA92C | 3DA92C CHINA SMD or Through Hole | 3DA92C.pdf | |
![]() | KYBF160030040A> | KYBF160030040A> KED SMD or Through Hole | KYBF160030040A>.pdf |