창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP6N65M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(F,P,U)6N65M2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.35옴 @ 2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.8nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 226pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-15040-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP6N65M2 | |
| 관련 링크 | STP6N, STP6N65M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385315160JC02R0 | 0.015µF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial | MKP385315160JC02R0.pdf | |
![]() | MP4-1I-1I-4RR-LLL-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP4-1I-1I-4RR-LLL-00.pdf | |
![]() | S0402-33NJ2 | 33nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 370 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-33NJ2.pdf | |
![]() | RG2012P-563-B-T5 | RES SMD 56K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012P-563-B-T5.pdf | |
![]() | CPU RJ80535 900/1M | CPU RJ80535 900/1M CPU BGA | CPU RJ80535 900/1M.pdf | |
![]() | LO3340-680-RM | LO3340-680-RM ICE NA | LO3340-680-RM.pdf | |
![]() | LX8383-3.3CP | LX8383-3.3CP LINFINIT TO-220-3 | LX8383-3.3CP.pdf | |
![]() | BH7826FVM-TR-R | BH7826FVM-TR-R ORIGINAL SMD or Through Hole | BH7826FVM-TR-R.pdf | |
![]() | FBFBM3216HS850-T | FBFBM3216HS850-T ORIGINAL SMD or Through Hole | FBFBM3216HS850-T.pdf | |
![]() | M50LPW080 K1 | M50LPW080 K1 ST PLCC32 | M50LPW080 K1.pdf | |
![]() | MC340 | MC340 MOT TO-89 | MC340.pdf |