창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP55NF06FP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx55NF06(-1,FP) | |
| 기타 관련 문서 | STP55NF06 View All Specifications STP55NF06FP View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 27.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 30W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-3193-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP55NF06FP | |
| 관련 링크 | STP55N, STP55NF06FP 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 0435005.KRHF | FUSE BOARD MOUNT 5A 32VDC 0402 | 0435005.KRHF.pdf | |
![]() | US3200005Z | 32MHz ±10ppm 수정 8pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | US3200005Z.pdf | |
![]() | CMF5586K600BEBF | RES 86.6K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5586K600BEBF.pdf | |
![]() | HA11221 | HA11221 HIT SMD or Through Hole | HA11221.pdf | |
![]() | RF1001-TP4D | RF1001-TP4D ROHM TO-220F | RF1001-TP4D.pdf | |
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![]() | ZXMN3A01E6TAPBF | ZXMN3A01E6TAPBF ZETEX SOT163 | ZXMN3A01E6TAPBF.pdf | |
![]() | TC57256AD | TC57256AD TOSHIBA DIP | TC57256AD.pdf | |
![]() | X0845CE | X0845CE SHARP DIP16 | X0845CE.pdf | |
![]() | 2010 3.3M J | 2010 3.3M J TASUND SMD or Through Hole | 2010 3.3M J.pdf | |
![]() | SC78M05BDTRK | SC78M05BDTRK ON SMD or Through Hole | SC78M05BDTRK.pdf | |
![]() | 2SC2412K T147Q | 2SC2412K T147Q ROHM SOT-23 | 2SC2412K T147Q.pdf |