창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP45N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STB,F,P45N65M5 | |
기타 관련 문서 | STP45N65M5 View All Specifications | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 78m옴 @ 19.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 91nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3375pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 210W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-12937-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP45N65M5 | |
관련 링크 | STP45N, STP45N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
CDSOD323-T24C-DSL | TVS DIODE 24VWM 56VC SMD | CDSOD323-T24C-DSL.pdf | ||
RT0603BRE071K4L | RES SMD 1.4K OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRE071K4L.pdf | ||
35MXR15000M35X35 | 35MXR15000M35X35 RUBYCON DIP | 35MXR15000M35X35.pdf | ||
LCD-DEMO-KIT | LCD-DEMO-KIT Future Onlyoriginal | LCD-DEMO-KIT.pdf | ||
MLF2012A560KT000 | MLF2012A560KT000 TDK SMD or Through Hole | MLF2012A560KT000.pdf | ||
4D28- | 4D28- ORIGINAL SMD or Through Hole | 4D28-.pdf | ||
DK1001R | DK1001R RFMD SMD or Through Hole | DK1001R.pdf | ||
RT8210BGQW | RT8210BGQW RICHTEK QFN | RT8210BGQW.pdf | ||
Z8536C1C10 | Z8536C1C10 SGSTHOMSON SMD or Through Hole | Z8536C1C10.pdf | ||
195D337X0004D2T | 195D337X0004D2T VISHAY SMD or Through Hole | 195D337X0004D2T.pdf | ||
LMC6035IMTR | LMC6035IMTR NS SMD or Through Hole | LMC6035IMTR.pdf | ||
NN2-12D09IS | NN2-12D09IS SANG SIP | NN2-12D09IS.pdf |