창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP3N80K5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx3N80K5 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperMESH5™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 130pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-14281-5 STP3N80K5-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP3N80K5 | |
관련 링크 | STP3N, STP3N80K5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
1.5KE6V8CARL | TVS DIODE 5.8VWM 13.4VC DO201 | 1.5KE6V8CARL.pdf | ||
IMC1812ER681J | 680µH Unshielded Wirewound Inductor 50mA 30 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812ER681J.pdf | ||
HS25 3R3 F | RES CHAS MNT 3.3 OHM 1% 25W | HS25 3R3 F.pdf | ||
UPA1917TE-T1 | UPA1917TE-T1 NEC SMD or Through Hole | UPA1917TE-T1.pdf | ||
SY2-0J335M-RA | SY2-0J335M-RA ELNA SMD or Through Hole | SY2-0J335M-RA.pdf | ||
11p-473j-50 | 11p-473j-50 fat SMD or Through Hole | 11p-473j-50.pdf | ||
SGB4333Z | SGB4333Z SIRENZA QFN | SGB4333Z.pdf | ||
2036PB | 2036PB SWP SMD or Through Hole | 2036PB.pdf | ||
MMS-205 | MMS-205 MEXICO SMD or Through Hole | MMS-205.pdf | ||
KW4040 | KW4040 ORIGINAL SOP-28L | KW4040.pdf | ||
MAX4502ESA+T | MAX4502ESA+T MAXIM SOP8 | MAX4502ESA+T.pdf |