창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP35NF10 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ST(B,P)35NF10 | |
기타 관련 문서 | STP35NF10 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | Small Motor Drivers | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1535 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 17.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1550pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 115W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-2645-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP35NF10 | |
관련 링크 | STP35, STP35NF10 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
P4KE480CA-B | TVS DIODE 408VWM 658VC AXIAL | P4KE480CA-B.pdf | ||
1210-473K | 47µH Unshielded Inductor 163mA 7 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | 1210-473K.pdf | ||
RMCF0402FT3K30 | RES SMD 3.3K OHM 1% 1/16W 0402 | RMCF0402FT3K30.pdf | ||
PE2010FKM070R033L | RES SMD 0.033 OHM 1% 1/2W 2010 | PE2010FKM070R033L.pdf | ||
20V1W | 20V1W ROHM 1808 | 20V1W.pdf | ||
P89C58BA A | P89C58BA A PHI SOP | P89C58BA A.pdf | ||
CXA2011-27F-G0-P0H-00000 | CXA2011-27F-G0-P0H-00000 CREE SMD or Through Hole | CXA2011-27F-G0-P0H-00000.pdf | ||
DL6306 | DL6306 ORIGINAL DIP(422)P | DL6306.pdf | ||
SBJ201209T-110Y-N | SBJ201209T-110Y-N ORIGINAL SMD or Through Hole | SBJ201209T-110Y-N.pdf | ||
D7PR31T1 | D7PR31T1 CUT-HAM SMD or Through Hole | D7PR31T1.pdf | ||
SII9024ARBT-C | SII9024ARBT-C SiliconImage SMD or Through Hole | SII9024ARBT-C.pdf |