창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP32NM50N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx32NM50N | |
| 기타 관련 문서 | STP32NM50N View All Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 130m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1973pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-13274-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP32NM50N | |
| 관련 링크 | STP32N, STP32NM50N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | C901U330JZSDAAWL20 | 33pF 440VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U330JZSDAAWL20.pdf | |
![]() | ECQ-E6154KFZ | 0.15µF Film Capacitor 630V Polyester, Metallized Radial | ECQ-E6154KFZ.pdf | |
![]() | BFC238354223 | 0.022µF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.335" W (26.00mm x 8.50mm) | BFC238354223.pdf | |
![]() | CMF5542R200FHEB | RES 42.2 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5542R200FHEB.pdf | |
![]() | AMS3100-2.5BM | AMS3100-2.5BM AMS SOT-23 | AMS3100-2.5BM.pdf | |
![]() | MSM6200-CP90-V2960-10 | MSM6200-CP90-V2960-10 QUALCOMM BGA | MSM6200-CP90-V2960-10.pdf | |
![]() | A24388 | A24388 INTEL CDIP | A24388.pdf | |
![]() | 09-92-1000 | 09-92-1000 MOLEX SMD or Through Hole | 09-92-1000.pdf | |
![]() | G7T-1112S 12VDC | G7T-1112S 12VDC OMRON SMD or Through Hole | G7T-1112S 12VDC.pdf | |
![]() | LM2986IM3.0 | LM2986IM3.0 NS SOP-8 | LM2986IM3.0.pdf | |
![]() | 72-10-33 | 72-10-33 weinschel SMD or Through Hole | 72-10-33.pdf | |
![]() | TA003P | TA003P TOSIBA DIP | TA003P.pdf |