창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP315N10F7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STP315N10F7 | |
| 제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 315W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP315N10F7 | |
| 관련 링크 | STP315, STP315N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | HK1235-7EQ-HM62256-7B | HK1235-7EQ-HM62256-7B HKNVRAM DIP | HK1235-7EQ-HM62256-7B.pdf | |
![]() | PI74FCT2157TQC | PI74FCT2157TQC PERICOM SSOP | PI74FCT2157TQC.pdf | |
![]() | P83C654FFA.EFA.IFA.EBA | P83C654FFA.EFA.IFA.EBA PHI PLCC44 | P83C654FFA.EFA.IFA.EBA.pdf | |
![]() | TXC-05810AIEB.C | TXC-05810AIEB.C TRANSWITCH SMD or Through Hole | TXC-05810AIEB.C.pdf | |
![]() | MR075C224JAR/MAR/KAR | MR075C224JAR/MAR/KAR AVX SMD or Through Hole | MR075C224JAR/MAR/KAR.pdf | |
![]() | S1H2192A01 | S1H2192A01 SAMSUNG DIP32 | S1H2192A01.pdf | |
![]() | RT0603FRE0739K | RT0603FRE0739K yageo INSTOCKPACK5000 | RT0603FRE0739K.pdf | |
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![]() | SM36CT | SM36CT SEMTECH SMD or Through Hole | SM36CT.pdf |