창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP30N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx30N65M5 | |
| 기타 관련 문서 | STP30N65M5 View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 139m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2880pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 140W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-10078-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP30N65M5 | |
| 관련 링크 | STP30N, STP30N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | D21C108 | D21C108 HIT QFP | D21C108.pdf | |
![]() | DB1 | DB1 ORIGINAL SOT23-3 | DB1.pdf | |
![]() | SI4435DY-REVA-E3 | SI4435DY-REVA-E3 VISHAY SOP | SI4435DY-REVA-E3.pdf | |
![]() | P6150-1 | P6150-1 TI BGA79 | P6150-1.pdf | |
![]() | W83977EGAW | W83977EGAW WINBOND QFP | W83977EGAW.pdf | |
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![]() | LT24151 | LT24151 LT TSOP16 | LT24151.pdf | |
![]() | 219009LPST | 219009LPST CTS SMD | 219009LPST.pdf | |
![]() | LW3122-0100-A | LW3122-0100-A NKKSwitches SMD or Through Hole | LW3122-0100-A.pdf | |
![]() | TH355LNI-4003LKG=P3 | TH355LNI-4003LKG=P3 TOKO SMD or Through Hole | TH355LNI-4003LKG=P3.pdf |