창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP2N62K3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx2N62K3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 620V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6옴 @ 1.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 340pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 45W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-12612-5 STP2N62K3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP2N62K3 | |
| 관련 링크 | STP2N, STP2N62K3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | ECA-2AHG4R7I | 4.7µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | ECA-2AHG4R7I.pdf | |
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![]() | K4B2G164BHCH9 | K4B2G164BHCH9 Samsung SMD or Through Hole | K4B2G164BHCH9.pdf | |
![]() | TLV62065EVM-719 | TLV62065EVM-719 TI SMD or Through Hole | TLV62065EVM-719.pdf | |
![]() | Q9847#554 | Q9847#554 AGILENT 4P | Q9847#554.pdf | |
![]() | 22UH 1.22A | 22UH 1.22A WE SMD | 22UH 1.22A.pdf | |
![]() | DS21T07E/T&R | DS21T07E/T&R DALLAS SMD or Through Hole | DS21T07E/T&R.pdf | |
![]() | J1958M | J1958M EPCOS SIP5 | J1958M.pdf | |
![]() | CD4054BE DIP16 | CD4054BE DIP16 TI SMD or Through Hole | CD4054BE DIP16.pdf |