창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP28N60DM2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ST(B,P,W)28N60DM2 | |
비디오 파일 | STMicro's 600 V MDMesh DM2 MOSFETs | Digi-Key Daily | |
주요제품 | 600 V MDMesh™ DM2 MOSFETS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ DM2 | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 10.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1500pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 170W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-16348-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP28N60DM2 | |
관련 링크 | STP28N, STP28N60DM2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | PALCE22V10Z-15JI | PALCE22V10Z-15JI ADM PLCC | PALCE22V10Z-15JI.pdf | |
![]() | IC41LV16100S-50TI | IC41LV16100S-50TI ICSI TSOP44 | IC41LV16100S-50TI.pdf | |
![]() | MMSZ52251BT1 | MMSZ52251BT1 ONSEM DIODE | MMSZ52251BT1.pdf | |
![]() | R6759-21/RCV336ACF/S | R6759-21/RCV336ACF/S ROCKWELL PLCC68 | R6759-21/RCV336ACF/S.pdf | |
![]() | 1.5KE350A 1.5KE350CA | 1.5KE350A 1.5KE350CA SKY SMD or Through Hole | 1.5KE350A 1.5KE350CA.pdf | |
![]() | L7815CT | L7815CT ST TO-3 | L7815CT.pdf | |
![]() | KSR2009 | KSR2009 FSC TO-92 | KSR2009.pdf | |
![]() | DCW08A-12 | DCW08A-12 MEANWELL DIP | DCW08A-12.pdf | |
![]() | CS7N60FA9HD | CS7N60FA9HD ORIGINAL SMD or Through Hole | CS7N60FA9HD.pdf | |
![]() | 1200v0.1uf-2uf | 1200v0.1uf-2uf CDET SMD or Through Hole | 1200v0.1uf-2uf.pdf | |
![]() | HERAS-B012JW | HERAS-B012JW SKYWORKS QFN | HERAS-B012JW.pdf |