창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP23NM60ND | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx23NM60ND | |
기타 관련 문서 | STP23NM60ND View All Specifications | |
카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | FDmesh™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 69nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2100pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-8445-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP23NM60ND | |
관련 링크 | STP23N, STP23NM60ND 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | ECW-H20123HVB | 0.012µF Film Capacitor 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.906" L x 0.453" W (23.00mm x 11.50mm) | ECW-H20123HVB.pdf | |
![]() | SMA5J36A-E3/61 | TVS DIODE 36VWM 58.1VC SMA | SMA5J36A-E3/61.pdf | |
![]() | SIT8008BC-13-33E-45.000000E | OSC XO 3.3V 45MHZ | SIT8008BC-13-33E-45.000000E.pdf | |
![]() | CRA04P083330RJTD | RES ARRAY 4 RES 330 OHM 0804 | CRA04P083330RJTD.pdf | |
![]() | HS03LIP6 | HS03LIP6 ORIGINAL QFN | HS03LIP6.pdf | |
![]() | RCL10658 | RCL10658 RCL DIP20 | RCL10658.pdf | |
![]() | 7202LA20DB 5962-8953606YA | 7202LA20DB 5962-8953606YA IDT DIP | 7202LA20DB 5962-8953606YA.pdf | |
![]() | SKYLARK-2 | SKYLARK-2 MDECT QFP | SKYLARK-2.pdf | |
![]() | 1SV285 0603-TO | 1SV285 0603-TO TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SV285 0603-TO.pdf | |
![]() | DFCB21G84LDJAA-RAB | DFCB21G84LDJAA-RAB MURATA SMD or Through Hole | DFCB21G84LDJAA-RAB.pdf | |
![]() | D09N05 | D09N05 ORIGINAL TO-252 | D09N05.pdf |