창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP23NM60N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx23NM60N | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 9.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2050pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-7517-5 STP23NM60N-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP23NM60N | |
| 관련 링크 | STP23N, STP23NM60N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 7B32070002 | 32MHz ±10ppm 수정 10pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7B32070002.pdf | |
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![]() | P4C188-25JC | P4C188-25JC PERF SOP | P4C188-25JC.pdf | |
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![]() | FDT7132 | FDT7132 TDT PLCC | FDT7132.pdf | |
![]() | S-80721SN | S-80721SN SEIKO SOT-153 | S-80721SN.pdf | |
![]() | LG2J | LG2J ORIGINAL SOT353-5 | LG2J.pdf | |
![]() | AIC1085-3.3PM | AIC1085-3.3PM AIC TO-263 | AIC1085-3.3PM.pdf | |
![]() | 06713-502 | 06713-502 AMI Call | 06713-502.pdf |