창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP21N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx21N65M5 | |
기타 관련 문서 | STP21N65M5 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 8.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1950pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-10077-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP21N65M5 | |
관련 링크 | STP21N, STP21N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | 3KP6.5-B | TVS DIODE 6.5VWM 11.76VC P600 | 3KP6.5-B.pdf | |
![]() | MCR25JZHF35R7 | RES SMD 35.7 OHM 1% 1/4W 1210 | MCR25JZHF35R7.pdf | |
![]() | CMF5552R300FHEB | RES 52.3 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5552R300FHEB.pdf | |
![]() | cp3514p1v00 | cp3514p1v00 cvilux SMD or Through Hole | cp3514p1v00.pdf | |
![]() | AD5251BRUZ100-RL7 | AD5251BRUZ100-RL7 ADI SMD or Through Hole | AD5251BRUZ100-RL7.pdf | |
![]() | GBPC2501W-B | GBPC2501W-B DIODESINC SMD or Through Hole | GBPC2501W-B.pdf | |
![]() | JQX-40F-1Z-110V | JQX-40F-1Z-110V ORIGINAL SMD or Through Hole | JQX-40F-1Z-110V.pdf | |
![]() | ZUW34815 | ZUW34815 COSEL SMD or Through Hole | ZUW34815.pdf | |
![]() | UC3843BN (e3 P/B) | UC3843BN (e3 P/B) ST DIP-8 | UC3843BN (e3 P/B).pdf | |
![]() | C4532X7R2E474K | C4532X7R2E474K TDK SMD | C4532X7R2E474K.pdf | |
![]() | HFCT5208B | HFCT5208B Agilent MODL | HFCT5208B.pdf | |
![]() | ON5052,215 | ON5052,215 NXP SOT23 | ON5052,215.pdf |