창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP21N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx21N65M5 | |
| 기타 관련 문서 | STP21N65M5 View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 8.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1950pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-10077-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP21N65M5 | |
| 관련 링크 | STP21N, STP21N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | LSRK.800T | FUSE CRTRDGE 800MA 600VAC/300VDC | LSRK.800T.pdf | |
![]() | CP000522K00JE14 | RES 22K OHM 5W 5% AXIAL | CP000522K00JE14.pdf | |
![]() | PC82562V877092 | PC82562V877092 INTEL SMD or Through Hole | PC82562V877092.pdf | |
![]() | MC68010R10 | MC68010R10 MOTOROLA PGA | MC68010R10.pdf | |
![]() | KM2520CGCK01 | KM2520CGCK01 ORIGINAL ROHS | KM2520CGCK01.pdf | |
![]() | AQY211ES | AQY211ES NAIS SOP-4 | AQY211ES.pdf | |
![]() | MCR100JZHJ101(100ohm) | MCR100JZHJ101(100ohm) ROHM RESISTOR | MCR100JZHJ101(100ohm).pdf | |
![]() | NCP5359 | NCP5359 ON SOP-8 | NCP5359.pdf | |
![]() | K6F1008C2C-LF55 | K6F1008C2C-LF55 SAMSUNG TSOP32 | K6F1008C2C-LF55.pdf | |
![]() | NJM2880U1-48(TE1) | NJM2880U1-48(TE1) JRC SOT89-163 | NJM2880U1-48(TE1).pdf | |
![]() | MT938T11F5PN | MT938T11F5PN MATRIX SMD or Through Hole | MT938T11F5PN.pdf | |
![]() | MRF896 | MRF896 MOT SMD or Through Hole | MRF896.pdf |