창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP19NF20 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx19NF20 | |
기타 관련 문서 | STP19NF20 View All Specifications | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1535 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MESH OVERLAY™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 7.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 90W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-7514-5 STP19NF20-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP19NF20 | |
관련 링크 | STP19, STP19NF20 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
OMIH-SS-112LM,000 | RELAY GEN PURP | OMIH-SS-112LM,000.pdf | ||
CFR25J18R | RES 18.0 OHM 1/3W 5% AXIAL | CFR25J18R.pdf | ||
PAV1632S-10DB-N3-T | PAV1632S-10DB-N3-T ORIGINAL SMD or Through Hole | PAV1632S-10DB-N3-T.pdf | ||
TNETD1056ZDW | TNETD1056ZDW ORIGINAL BGA | TNETD1056ZDW.pdf | ||
SR540-B | SR540-B REC ZC | SR540-B.pdf | ||
GSA10A250V | GSA10A250V BELFUSE SMD or Through Hole | GSA10A250V.pdf | ||
RR0816Q 3402 BN | RR0816Q 3402 BN CYNTEC SMD or Through Hole | RR0816Q 3402 BN.pdf | ||
IPB091N06N G | IPB091N06N G INFINEON TO263-3 | IPB091N06N G.pdf | ||
LM2596R-1.2 | LM2596R-1.2 HTC TO236PBF | LM2596R-1.2.pdf | ||
UN511F | UN511F N/A NA | UN511F.pdf | ||
PS2805-1--F3-A | PS2805-1--F3-A NEC SOP-4/3.9 | PS2805-1--F3-A.pdf |