창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP18N65M2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ST(I,P)18N65M2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ M2 | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 330m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 770pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-15557-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP18N65M2 | |
관련 링크 | STP18N, STP18N65M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | CGA3E2NP01H2R2C080AA | 2.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E2NP01H2R2C080AA.pdf | |
![]() | 08055A2R7BAT2A | 2.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055A2R7BAT2A.pdf | |
![]() | CMF552K7000FKR6 | RES 2.7K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF552K7000FKR6.pdf | |
![]() | H811KDYA | RES 11.0K OHM 1/4W 0.5% AXIAL | H811KDYA.pdf | |
![]() | V1000LA160B | V1000LA160B ORIGINAL DIP | V1000LA160B.pdf | |
![]() | ECJHVB1A225K | ECJHVB1A225K Panasonic SMD | ECJHVB1A225K.pdf | |
![]() | GBP204G | GBP204G ORIGINAL DIP4 | GBP204G.pdf | |
![]() | W39D040A-70 | W39D040A-70 whibond SMD or Through Hole | W39D040A-70.pdf | |
![]() | MAX6363LEUT29 | MAX6363LEUT29 maxim SOT-23 | MAX6363LEUT29.pdf | |
![]() | KDN-1401C | KDN-1401C KTS DIP-14 | KDN-1401C.pdf | |
![]() | 046232012010000+ | 046232012010000+ KYOCERA SMD or Through Hole | 046232012010000+.pdf | |
![]() | 3REOB13514590 | 3REOB13514590 THINE TSSOP48 | 3REOB13514590.pdf |