창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP160N75F3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx160N75F3 | |
기타 관련 문서 | STP160N75F3 View All Specifications | |
참조 설계 라이브러리 | STEVAL-ISV001V1(#1): 1000W 230VAC Inverter, 24Vin | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1535 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 85nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6750pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 330W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-7508-5 STP160N75F3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP160N75F3 | |
관련 링크 | STP160, STP160N75F3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
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![]() | RP73D2B57R6BTDF | RES SMD 57.6 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B57R6BTDF.pdf | |
![]() | RS01AR1300FE70 | RES .13 OHM 1W 1% WW AXIAL | RS01AR1300FE70.pdf | |
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![]() | AD1B22 | AD1B22 AD SMD or Through Hole | AD1B22.pdf | |
![]() | 108RMR035M | 108RMR035M ILLINOISCAPACITOR SMD or Through Hole | 108RMR035M.pdf | |
![]() | ICM-MB68H-S153-400R | ICM-MB68H-S153-400R JST SMD or Through Hole | ICM-MB68H-S153-400R.pdf | |
![]() | xc5215-4hq208c | xc5215-4hq208c xilinx SMD or Through Hole | xc5215-4hq208c.pdf | |
![]() | CM05ED390GO3 | CM05ED390GO3 CDE SMD or Through Hole | CM05ED390GO3.pdf | |
![]() | MM3Z5V6T1 5.6V | MM3Z5V6T1 5.6V ON SMD or Through Hole | MM3Z5V6T1 5.6V.pdf | |
![]() | L119SRSGWT-CC | L119SRSGWT-CC KINGBRIGHT DIP | L119SRSGWT-CC.pdf | |
![]() | TL1963A-25DCYR | TL1963A-25DCYR TI SOT-223 | TL1963A-25DCYR.pdf |