창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP160N4LF6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STP160N4LF6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.9m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA(최소) | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 181nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8130pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-15556-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP160N4LF6 | |
| 관련 링크 | STP160, STP160N4LF6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | B41895B7477M | 470µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 48 mOhm @ 10kHz 3000 Hrs @ 125°C | B41895B7477M.pdf | |
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![]() | TAJA225M025RNJ | 2.2µF Molded Tantalum Capacitors 25V 1206 (3216 Metric) 7 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | TAJA225M025RNJ.pdf | |
![]() | ASD1012S5 | ASD1012S5 ASTRODYNE SMD or Through Hole | ASD1012S5.pdf | |
![]() | KBR1000YTR(1000KHZ | KBR1000YTR(1000KHZ KYOCERA 5X7-2P | KBR1000YTR(1000KHZ.pdf | |
![]() | 63SGV330M18X16.5 | 63SGV330M18X16.5 RUBYCON Call | 63SGV330M18X16.5.pdf | |
![]() | SI3443DV_NL | SI3443DV_NL FAIRCHILD SOT163 | SI3443DV_NL.pdf | |
![]() | 74LS122P | 74LS122P HIT SMD or Through Hole | 74LS122P.pdf | |
![]() | bzx384-c5v1-115 | bzx384-c5v1-115 philipssemiconducto SMD or Through Hole | bzx384-c5v1-115.pdf | |
![]() | PPSH104J0800HB1201 | PPSH104J0800HB1201 HUAJUNGCOMPONENT SMD or Through Hole | PPSH104J0800HB1201.pdf | |
![]() | ADP3310AR3 | ADP3310AR3 ad SMD or Through Hole | ADP3310AR3.pdf | |
![]() | CL393S8 | CL393S8 Chiplink SMD or Through Hole | CL393S8.pdf |