창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP15NM60ND | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx15NM60ND | |
| 기타 관련 문서 | STP15NM60ND View All Specifications | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | FDmesh™ II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 299m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1250pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-8443-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP15NM60ND | |
| 관련 링크 | STP15N, STP15NM60ND 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | EZJ-Z1V500AA | VARISTOR 50V 0603 | EZJ-Z1V500AA.pdf | |
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![]() | RC1210FR-071K4L | RES SMD 1.4K OHM 1% 1/2W 1210 | RC1210FR-071K4L.pdf | |
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![]() | W78E62BP-40. | W78E62BP-40. WINBON PLCC | W78E62BP-40..pdf | |
![]() | G2100C888-084H | G2100C888-084H ORIGINAL SMD or Through Hole | G2100C888-084H.pdf | |
![]() | GE1117A50 | GE1117A50 GTM TO-220(5L) | GE1117A50.pdf | |
![]() | STK6012BP-5V | STK6012BP-5V N/A plcc | STK6012BP-5V.pdf | |
![]() | 1.5SMCJ120A (PJ14) | 1.5SMCJ120A (PJ14) PJ SMC | 1.5SMCJ120A (PJ14).pdf | |
![]() | R6631-14/R96EFX | R6631-14/R96EFX ROCKWELL PLCC-68 | R6631-14/R96EFX.pdf | |
![]() | FDC652N | FDC652N FAIRCHILD SOT163 | FDC652N.pdf | |
![]() | CB1E106M2ICB | CB1E106M2ICB multicomp DIP | CB1E106M2ICB.pdf |