창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP150N3LLH6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx150N3LLH6 | |
| 카탈로그 페이지 | 1535 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4040pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-9097-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP150N3LLH6 | |
| 관련 링크 | STP150N, STP150N3LLH6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | TZ03T110E169B00 | 3 ~ 11pF Trimmer Capacitor 100V Bottom Adjustment Through Hole Round - 0.236" Dia (6.00mm) | TZ03T110E169B00.pdf | |
![]() | 416F50022CKT | 50MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50022CKT.pdf | |
![]() | ERJ-T08J270V | RES SMD 27 OHM 5% 1/3W 1206 | ERJ-T08J270V.pdf | |
![]() | S9418AB | S9418AB NS DIP | S9418AB.pdf | |
![]() | MK1H108M16025BB200 | MK1H108M16025BB200 SAMWHAELECTRICCOLTD SMD or Through Hole | MK1H108M16025BB200.pdf | |
![]() | SC1566I5M-2.5V/-1. | SC1566I5M-2.5V/-1. SC TO-263 | SC1566I5M-2.5V/-1..pdf | |
![]() | VHE1402 | VHE1402 STM TO220 3P | VHE1402.pdf | |
![]() | TST06 | TST06 ORIGINAL DIP | TST06.pdf | |
![]() | CDA4C20GTA | CDA4C20GTA EPCOS SMD | CDA4C20GTA.pdf | |
![]() | KRC1204 | KRC1204 KEC TR | KRC1204.pdf | |
![]() | RMC1/10K9311FATP | RMC1/10K9311FATP KAMAYA SMD or Through Hole | RMC1/10K9311FATP.pdf | |
![]() | SMM220VS152M35X40T2 | SMM220VS152M35X40T2 UMITEDCHEMI-CON DIP | SMM220VS152M35X40T2.pdf |