창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP13NM50N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx13NM50N(-1) | |
| 카탈로그 페이지 | 1535 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 320m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 960pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 100W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-7505-5 STP13NM50N-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP13NM50N | |
| 관련 링크 | STP13N, STP13NM50N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | CJT60560RJJ | RES CHAS MNT 560 OHM 5% 60W | CJT60560RJJ.pdf | |
![]() | RCP1206W1K60JTP | RES SMD 1.6K OHM 5% 11W 1206 | RCP1206W1K60JTP.pdf | |
![]() | DG202CSE-T | DG202CSE-T MAXIM SMD or Through Hole | DG202CSE-T.pdf | |
![]() | SIM-87M1391 | SIM-87M1391 N/A BGA | SIM-87M1391.pdf | |
![]() | 315-5960 | 315-5960 YAMAHA QFP160PIN | 315-5960.pdf | |
![]() | 24R-JMCS-G-TF(NSA) | 24R-JMCS-G-TF(NSA) JST 24p0.5 | 24R-JMCS-G-TF(NSA).pdf | |
![]() | 97942-585R718H01 | 97942-585R718H01 MMI SMD | 97942-585R718H01.pdf | |
![]() | C-103-PM | C-103-PM ORIGINAL SMD or Through Hole | C-103-PM.pdf | |
![]() | 4GBJ602 | 4GBJ602 HY/ SMD or Through Hole | 4GBJ602.pdf | |
![]() | HD64F2633TF25 | HD64F2633TF25 HITACHI QFP | HD64F2633TF25.pdf |