창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP12N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx12N65M5 | |
기타 관련 문서 | STP12N65M5 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 430m옴 @ 4.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 900pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 70W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-10304-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP12N65M5 | |
관련 링크 | STP12N, STP12N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | CZRFR11VB-HF | DIODE ZENER 11V 200MW 1005 | CZRFR11VB-HF.pdf | |
![]() | LVC25JR820EV | RES SMD 0.82 OHM 5% 1W 2512 | LVC25JR820EV.pdf | |
![]() | BGA619L7-4E6327 | BGA619L7-4E6327 Infineon P-TSLP-7 | BGA619L7-4E6327.pdf | |
![]() | MAX2370EGI | MAX2370EGI MAXIM QFN | MAX2370EGI.pdf | |
![]() | RLB0608-2R2ML | RLB0608-2R2ML BOURNS DIP | RLB0608-2R2ML.pdf | |
![]() | MMBT123S-T | MMBT123S-T DIODES LL34 | MMBT123S-T.pdf | |
![]() | MB603562A | MB603562A F QFP176 | MB603562A.pdf | |
![]() | SDRH2D11R-2R2NT | SDRH2D11R-2R2NT SUNLORD SMD | SDRH2D11R-2R2NT.pdf | |
![]() | ADG441BR-REEL | ADG441BR-REEL AD SOP16 | ADG441BR-REEL.pdf | |
![]() | MTZJT-777.5B-M | MTZJT-777.5B-M ROHM SMD or Through Hole | MTZJT-777.5B-M.pdf | |
![]() | 101TL2-3 | 101TL2-3 Honeywell SMD or Through Hole | 101TL2-3.pdf |