창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP12N120K5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx12N120K5(-2), STWA12N120K5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ K5 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 690m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44.2nC @ 10V | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1370pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-15554-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP12N120K5 | |
| 관련 링크 | STP12N, STP12N120K5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D3R3BXAAC | 3.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D3R3BXAAC.pdf | |
![]() | D120J20C0GH63J5R | 12pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.197" Dia(5.00mm) | D120J20C0GH63J5R.pdf | |
![]() | GBU15K | DIODE BRIDGE 800V 15A GBU | GBU15K.pdf | |
![]() | 1008R-151J | 150nH Unshielded Inductor 1.168A 110 mOhm Max 2-SMD | 1008R-151J.pdf | |
![]() | ERA-2ARB6981X | RES SMD 6.98KOHM 0.1% 1/16W 0402 | ERA-2ARB6981X.pdf | |
![]() | C340C475K5R5CA | C340C475K5R5CA KEM SMD or Through Hole | C340C475K5R5CA.pdf | |
![]() | MB89655APFV-G-146-BND | MB89655APFV-G-146-BND FUJ SMD or Through Hole | MB89655APFV-G-146-BND.pdf | |
![]() | 150K60AM | 150K60AM IR SMD or Through Hole | 150K60AM.pdf | |
![]() | TAIFU 4328H | TAIFU 4328H LUCENT BGA | TAIFU 4328H.pdf | |
![]() | MBM29F800TA-90PFIN | MBM29F800TA-90PFIN SPANSION TSOP56 | MBM29F800TA-90PFIN.pdf | |
![]() | CY3639 | CY3639 CYP DIP28 | CY3639.pdf | |
![]() | CY8C29666-24PVX1 | CY8C29666-24PVX1 CYPRESS SOP | CY8C29666-24PVX1.pdf |