창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP110N8F6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STP110N8F6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ F6 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 55A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9130pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 200W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-16019-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP110N8F6 | |
| 관련 링크 | STP110, STP110N8F6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 7M-12.288MEEQ-T | 12.288MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M-12.288MEEQ-T.pdf | |
![]() | CB3LV-3C-5M9994 | 5.9994MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 12mA Enable/Disable | CB3LV-3C-5M9994.pdf | |
![]() | RG1608V-2370-P-T1 | RES SMD 237 OHM 0.02% 1/10W 0603 | RG1608V-2370-P-T1.pdf | |
![]() | FMP200JR-52-1R | RES 1 OHM 2W 5% AXIAL | FMP200JR-52-1R.pdf | |
![]() | 8050353-0000 | 8050353-0000 ORIGINAL SMD or Through Hole | 8050353-0000.pdf | |
![]() | MC7447RX1000RB | MC7447RX1000RB ORIGINAL BGA | MC7447RX1000RB.pdf | |
![]() | SD2A226M6L011 | SD2A226M6L011 samwha DIP-2 | SD2A226M6L011.pdf | |
![]() | 22T-1011A2NL | 22T-1011A2NL YDS DIP16 | 22T-1011A2NL.pdf | |
![]() | 358/HY | 358/HY TI SOP | 358/HY.pdf | |
![]() | ME6970D-G | ME6970D-G ORIGINAL TSSOP8 | ME6970D-G.pdf | |
![]() | B66423G0000X187 | B66423G0000X187 EPCOS SMD or Through Hole | B66423G0000X187.pdf | |
![]() | IMS8060N | IMS8060N HARRIS DIP | IMS8060N.pdf |