창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP110N10F7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STP110N10F7 | |
| 기타 관련 문서 | STP110N10F7 View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
| 주요제품 | STP310N10F7 MOSFETs | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 55A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5500pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-13551-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP110N10F7 | |
| 관련 링크 | STP110, STP110N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | C0603C300D1GACTU | 30pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C300D1GACTU.pdf | |
| SISA18DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8 | SISA18DN-T1-GE3.pdf | ||
![]() | P51-1500-A-A-M12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 1500 PSI (10342.14 kPa) Absolute Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-1500-A-A-M12-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | RB886Y | RB886Y ROHM SOT-443 | RB886Y.pdf | |
![]() | UDZ4.7B(XHZ) | UDZ4.7B(XHZ) ROHM UMD2 | UDZ4.7B(XHZ).pdf | |
![]() | TA1095P | TA1095P TOSIBA DIP | TA1095P.pdf | |
![]() | PT15NVK050 | PT15NVK050 PIH SMD or Through Hole | PT15NVK050.pdf | |
![]() | TACL106M002 | TACL106M002 AVX SMD or Through Hole | TACL106M002.pdf | |
![]() | BQF20N60 | BQF20N60 ORIGINAL TO-220 | BQF20N60.pdf | |
![]() | LN11WP23 | LN11WP23 Panasonic SMD or Through Hole | LN11WP23.pdf |