창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP10N62K3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx(x)10N62K3 | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 620V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1250pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-9099-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP10N62K3 | |
| 관련 링크 | STP10N, STP10N62K3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 1808AA100KAT9A | 10pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808AA100KAT9A.pdf | |
![]() | 960224-7102-AR | 960224-7102-AR M SMD or Through Hole | 960224-7102-AR.pdf | |
![]() | UPD800282-ES-U | UPD800282-ES-U NEC BGA | UPD800282-ES-U.pdf | |
![]() | DRM020KE1R150TCTX | DRM020KE1R150TCTX ORIGINAL SMD or Through Hole | DRM020KE1R150TCTX.pdf | |
![]() | SNT5454BT | SNT5454BT TI NA | SNT5454BT.pdf | |
![]() | AT04693C46 | AT04693C46 ATMEL DIP-8 | AT04693C46.pdf | |
![]() | TDA7467D(SMD) D/C98 | TDA7467D(SMD) D/C98 ST SMD or Through Hole | TDA7467D(SMD) D/C98.pdf | |
![]() | QCA150A100 | QCA150A100 ORIGINAL SMD or Through Hole | QCA150A100.pdf | |
![]() | R5106N291A-TR-JE | R5106N291A-TR-JE RICOH SMD or Through Hole | R5106N291A-TR-JE.pdf | |
![]() | K7N401801A-QC13 | K7N401801A-QC13 SAMSUNG BGA | K7N401801A-QC13.pdf | |
![]() | 1SMB5954 | 1SMB5954 TSC DO-213AA | 1SMB5954.pdf |