창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STN3N45K3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STN3N45K3 Datasheet | |
| 기타 관련 문서 | STN3N45K3 View All Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH3™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 450V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 600mA(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 150pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 497-10649-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STN3N45K3 | |
| 관련 링크 | STN3N, STN3N45K3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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![]() | RSF2JB560R | RES MO 2W 560 OHM 5% AXIAL | RSF2JB560R.pdf | |
![]() | WNC75RFET | RES 75 OHM 2W 1% AXIAL | WNC75RFET.pdf | |
![]() | ICS830S21AMI-01LFT | ICS830S21AMI-01LFT IDT SMD or Through Hole | ICS830S21AMI-01LFT.pdf | |
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![]() | V212SX | V212SX n/a SMD or Through Hole | V212SX.pdf | |
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![]() | MJD122G4 | MJD122G4 ON TO-252 | MJD122G4.pdf | |
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