창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STN1NK80Z | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx1NK80ZR(R-AP,-1) | |
| 기타 관련 문서 | STN1NK80Z View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 250mA(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 160pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 497-4669-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STN1NK80Z | |
| 관련 링크 | STN1N, STN1NK80Z 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | AQ125M330FHJME | 33pF 50V 세라믹 커패시터 M 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ125M330FHJME.pdf | |
![]() | AA0805JR-0791KL | RES SMD 91K OHM 5% 1/8W 0805 | AA0805JR-0791KL.pdf | |
![]() | 14FLZT-SM1-TF(LF)(SN) | 14FLZT-SM1-TF(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | 14FLZT-SM1-TF(LF)(SN).pdf | |
![]() | 7128-1964-50 | 7128-1964-50 Yazaki con | 7128-1964-50.pdf | |
![]() | ST24-3 | ST24-3 ST DO-35 | ST24-3.pdf | |
![]() | KQC0603TTE18NG | KQC0603TTE18NG KOA O6O3 | KQC0603TTE18NG.pdf | |
![]() | 231-632 | 231-632 WAGO SMD or Through Hole | 231-632.pdf | |
![]() | MGT5N2YS40 | MGT5N2YS40 ORIGINAL SMD or Through Hole | MGT5N2YS40.pdf | |
![]() | SG5692-8987601EA | SG5692-8987601EA TI SMD or Through Hole | SG5692-8987601EA.pdf | |
![]() | BB3627AM | BB3627AM BB CAN8 | BB3627AM.pdf | |
![]() | 50NXA10M5X11 | 50NXA10M5X11 RUBYCON DIP | 50NXA10M5X11.pdf |