창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL8DN6LF6AG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Spice Model Tutorial for Power MOSFETS STL8DN6LF6AG Datasheet | |
| 애플리케이션 노트 | AN3267 Appl Note AN4191 Appl Note AN4390 Appl Note The Avalanche Issue | |
| 설계 리소스 | STL8DN6LF6AG PSpice Model | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 27m옴 @ 9.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1340pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 55W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-16504-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL8DN6LF6AG | |
| 관련 링크 | STL8DN6, STL8DN6LF6AG 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | SMAJ100CAHE3/61 | TVS DIODE 100VWM 162VC SMA | SMAJ100CAHE3/61.pdf | |
![]() | MRS25000C8203FCT00 | RES 820K OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C8203FCT00.pdf | |
![]() | TC95698 | TC95698 ORIGINAL SMD or Through Hole | TC95698.pdf | |
![]() | CKCA43COG1H150KT010A 15P-0612 | CKCA43COG1H150KT010A 15P-0612 TDK SMD or Through Hole | CKCA43COG1H150KT010A 15P-0612.pdf | |
![]() | LT1064I | LT1064I LT SMD or Through Hole | LT1064I.pdf | |
![]() | 89CXDKK | 89CXDKK ORIGINAL SMD or Through Hole | 89CXDKK.pdf | |
![]() | PIH10D68-820M | PIH10D68-820M ERCRE SMD | PIH10D68-820M.pdf | |
![]() | 2SB1188 T100 | 2SB1188 T100 ROHM SOT-89 | 2SB1188 T100.pdf | |
![]() | C1213AC | C1213AC ORIGINAL TO-92 | C1213AC.pdf | |
![]() | VCUG080100L1DP | VCUG080100L1DP AVX SMD | VCUG080100L1DP.pdf | |
![]() | 1N312 | 1N312 ST DIPSMD | 1N312.pdf |