창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL8DN6LF3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STL8DN6LF3 | |
기타 관련 문서 | STL8DN6LF3 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ III | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 668pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 65W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-13169-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STL8DN6LF3 | |
관련 링크 | STL8DN, STL8DN6LF3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | GRM0225C1E7R2DDAEL | 7.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1E7R2DDAEL.pdf | |
![]() | SM322B | SM322B ORIGINAL SOP-14 | SM322B.pdf | |
![]() | BI106KC30 | BI106KC30 BT DIP20 | BI106KC30.pdf | |
![]() | HIC-1NNB | HIC-1NNB NIHON ZIP13 | HIC-1NNB.pdf | |
![]() | TP0403-2R7M/2A | TP0403-2R7M/2A Bullwill SMD or Through Hole | TP0403-2R7M/2A.pdf | |
![]() | C1608C0G1H090DT000A | C1608C0G1H090DT000A TDK SMD or Through Hole | C1608C0G1H090DT000A.pdf | |
![]() | 19-215SYGC/S530-E1/TR8(SHA) | 19-215SYGC/S530-E1/TR8(SHA) EVERLIGHT SMD or Through Hole | 19-215SYGC/S530-E1/TR8(SHA).pdf | |
![]() | MTV212AN32-003 | MTV212AN32-003 MYSON DIP | MTV212AN32-003.pdf | |
![]() | MD28F01090 | MD28F01090 INTEL DIP | MD28F01090.pdf | |
![]() | EF5A05F | EF5A05F MS ITO-220AC | EF5A05F.pdf | |
![]() | ERJ1WYJ391H | ERJ1WYJ391H PANASONIC SMD or Through Hole | ERJ1WYJ391H.pdf |