창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL8DN10LF3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STL8DN10LF3 | |
기타 관련 문서 | STL8DN10LF3 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ III | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 970pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 70W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-13168-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STL8DN10LF3 | |
관련 링크 | STL8DN, STL8DN10LF3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
5.0SMDJ70A | TVS DIODE 70VWM 113VC SMD | 5.0SMDJ70A.pdf | ||
2SK2394-7-TB-E | JFET N-CH 50MA 200MW CP | 2SK2394-7-TB-E.pdf | ||
AC0603FR-07105RL | RES SMD 105 OHM 1% 1/10W 0603 | AC0603FR-07105RL.pdf | ||
UDT26A05L01 | UDT26A05L01 Brightki SOT23-6 | UDT26A05L01.pdf | ||
KB7079 | KB7079 KB SMD or Through Hole | KB7079.pdf | ||
GAL6001-30LP | GAL6001-30LP LATTICE DIP | GAL6001-30LP.pdf | ||
IL11779 | IL11779 SGS CAN8 | IL11779.pdf | ||
RS01A5K620FB12 | RS01A5K620FB12 DALE SMD or Through Hole | RS01A5K620FB12.pdf | ||
R7700200AO | R7700200AO EPSON BGA | R7700200AO.pdf | ||
R2J10190GA-A40DD | R2J10190GA-A40DD SUNTRUE DIP-64 | R2J10190GA-A40DD.pdf | ||
IRF7523D1PBF | IRF7523D1PBF IR SMD or Through Hole | IRF7523D1PBF.pdf | ||
M34282M2-189GP | M34282M2-189GP RENESAS SOP | M34282M2-189GP.pdf |