창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL60NH3LL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL60NH3LL | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.5m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1810pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(6x5) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-5246-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL60NH3LL | |
| 관련 링크 | STL60N, STL60NH3LL 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | ARS10A03 | ARS RELAY 1 FORM C 3V | ARS10A03.pdf | |
![]() | M4A3-128/64-10VNI | M4A3-128/64-10VNI LATTICE TQFP-100 | M4A3-128/64-10VNI.pdf | |
![]() | LM1269N | LM1269N NS SMD or Through Hole | LM1269N.pdf | |
![]() | LC864012L5463 | LC864012L5463 SANYO DIP | LC864012L5463.pdf | |
![]() | 72V3660L10PF | 72V3660L10PF IDT SMD or Through Hole | 72V3660L10PF.pdf | |
![]() | PT1142 | PT1142 TIX TO-220 | PT1142.pdf | |
![]() | CPH10T104K251X | CPH10T104K251X TRIGON SMD or Through Hole | CPH10T104K251X.pdf | |
![]() | XC413919DW | XC413919DW MOTOROLA SOP28 | XC413919DW.pdf | |
![]() | MMBZ5229B-8D | MMBZ5229B-8D TAITRON SOT-23 | MMBZ5229B-8D.pdf | |
![]() | MIE-114A1N-01 | MIE-114A1N-01 UNI DIP | MIE-114A1N-01.pdf | |
![]() | D45L-R1AA | D45L-R1AA Cherry SMD or Through Hole | D45L-R1AA.pdf | |
![]() | CSHS-EP10-1S-8P-T | CSHS-EP10-1S-8P-T FERROX SMD or Through Hole | CSHS-EP10-1S-8P-T.pdf |