창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL56N3LLH5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL56N3LLH5 | |
| 기타 관련 문서 | STL56N3LLH5 View All Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ V | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 56A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.5nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 950pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 62.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerSMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-11849-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL56N3LLH5 | |
| 관련 링크 | STL56N, STL56N3LLH5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW25121R02FNEG | RES SMD 1.02 OHM 1% 1W 2512 | CRCW25121R02FNEG.pdf | |
![]() | K10102B11 | K10102B11 COSMO PC | K10102B11.pdf | |
![]() | M37754M6C-105GP | M37754M6C-105GP MITSUBIS O-NEWQFP | M37754M6C-105GP.pdf | |
![]() | GRM31MF50J106ZA01K | GRM31MF50J106ZA01K MURATA SMD | GRM31MF50J106ZA01K.pdf | |
![]() | BQ3285ESS-N | BQ3285ESS-N TI SMD or Through Hole | BQ3285ESS-N.pdf | |
![]() | USB2602-NU-02 | USB2602-NU-02 SMSC QFP128P | USB2602-NU-02.pdf | |
![]() | 3D-PACK-BOX1-AMBK01-ISS-1 | 3D-PACK-BOX1-AMBK01-ISS-1 ABACUS SMD or Through Hole | 3D-PACK-BOX1-AMBK01-ISS-1.pdf | |
![]() | 2DI50B-100 | 2DI50B-100 FUJI SMD or Through Hole | 2DI50B-100.pdf | |
![]() | 60508-SP | 60508-SP WALDOM SMD or Through Hole | 60508-SP.pdf | |
![]() | AXS732749P | AXS732749P ORIGINAL SMD or Through Hole | AXS732749P.pdf | |
![]() | BCR1/2-391JE | BCR1/2-391JE ORIGINAL SMD or Through Hole | BCR1/2-391JE.pdf | |
![]() | NHDS-04-V | NHDS-04-V DIPTRONI SMD or Through Hole | NHDS-04-V.pdf |