창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL50DN6F7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Spice Model Tutorial for Power MOSFETS STL50DN6F7 Datasheet | |
| 애플리케이션 노트 | AN3267 Appl Note AN4191 Appl Note AN4390 Appl Note The Avalanche Issue AN4789 Appl Note | |
| 설계 리소스 | STL50DN6F7 PSpice Model | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 57A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1035pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 62.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-16488-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL50DN6F7 | |
| 관련 링크 | STL50D, STL50DN6F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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![]() | CMF5584R500FHEA | RES 84.5 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5584R500FHEA.pdf | |
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![]() | 8803CPAN-3PE8 | 8803CPAN-3PE8 TOSHIBA DIP64 | 8803CPAN-3PE8.pdf | |
![]() | 82357050220 | 82357050220 Wurth SMD | 82357050220.pdf | |
![]() | LTC1597AIN | LTC1597AIN LT SMD or Through Hole | LTC1597AIN.pdf | |
![]() | MMD-10CZ-3R3M-X2 | MMD-10CZ-3R3M-X2 Maglayers SMD | MMD-10CZ-3R3M-X2.pdf | |
![]() | 25AA640 | 25AA640 MIC SOP | 25AA640.pdf | |
![]() | 2N1765 | 2N1765 ST/MOTO CAN to-39 | 2N1765.pdf | |
![]() | LCB126P | LCB126P CLARE SMD or Through Hole | LCB126P.pdf |