창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL42N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STL42N65M5 STL42N65M5 | |
기타 관련 문서 | STL42N65M5 View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Ta), 34A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 79m옴 @ 16.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4650pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 3W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-PowerFlat™ HV | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(8x8) HV | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-13602-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STL42N65M5 | |
관련 링크 | STL42N, STL42N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | PHP00805E1721BST1 | RES SMD 1.72K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E1721BST1.pdf | |
![]() | QL1010 | QL1010 GUERTE QL | QL1010.pdf | |
![]() | DSEI30-10A RMB:13.8 | DSEI30-10A RMB:13.8 IXYS TO-247 | DSEI30-10A RMB:13.8.pdf | |
![]() | M64089GP-600D | M64089GP-600D MITSUBISHI SSOP-20P | M64089GP-600D.pdf | |
![]() | P89PLC9017FDH | P89PLC9017FDH ORIGINAL DIPSMD | P89PLC9017FDH.pdf | |
![]() | HM6116ALP70 | HM6116ALP70 MITEL NULL | HM6116ALP70.pdf | |
![]() | MAX4122EUK+T | MAX4122EUK+T MAXIM SMD or Through Hole | MAX4122EUK+T.pdf | |
![]() | 360KOHM12060.05 | 360KOHM12060.05 CHERRY SMD or Through Hole | 360KOHM12060.05.pdf | |
![]() | LT934CR2 | LT934CR2 LT SMD or Through Hole | LT934CR2.pdf | |
![]() | mcu08050d5609bp | mcu08050d5609bp vishay SMD or Through Hole | mcu08050d5609bp.pdf | |
![]() | H57V2562GFR-60I | H57V2562GFR-60I HYNIX FBGA | H57V2562GFR-60I.pdf | |
![]() | STB140NF75T | STB140NF75T ST TO-263 | STB140NF75T.pdf |