창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL3N10F7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL3N10F7 | |
| 제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.8nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 408pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-PowerWDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(2x2) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-14993-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL3N10F7 | |
| 관련 링크 | STL3N, STL3N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | BFC233916394 | 0.39µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.394" W (17.50mm x 10.00mm) | BFC233916394.pdf | |
![]() | FSOT3009E5R000KE | RES CHAS MNT 5 OHM 10% 30W | FSOT3009E5R000KE.pdf | |
![]() | CRCW12184K32FKTK | RES SMD 4.32K OHM 1% 1W 1218 | CRCW12184K32FKTK.pdf | |
![]() | WW2FT2K00 | RES 2K OHM 1.5W 1% AXIAL | WW2FT2K00.pdf | |
![]() | ICS9UMS9633BFILFT | ICS9UMS9633BFILFT IDT 48-SSOP | ICS9UMS9633BFILFT.pdf | |
![]() | UA398HMQB | UA398HMQB FAI CAN | UA398HMQB.pdf | |
![]() | R5S72624P144FPU | R5S72624P144FPU Renesas PLQP0176KB-A | R5S72624P144FPU.pdf | |
![]() | WSK830 TO220 | WSK830 TO220 ORIGINAL TO220 | WSK830 TO220.pdf | |
![]() | 1206 100R | 1206 100R ORIGINAL SMD or Through Hole | 1206 100R.pdf | |
![]() | S-1135E35-M5T1S | S-1135E35-M5T1S SEIKO SOT23-5 | S-1135E35-M5T1S.pdf | |
![]() | CT219RZ-LF | CT219RZ-LF ORIGINAL QFP | CT219RZ-LF.pdf | |
![]() | XC44013XLPQ208-1 | XC44013XLPQ208-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | XC44013XLPQ208-1.pdf |