창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL25N15F4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL25N15F4 | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 63m옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2710pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 80W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(6x5) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 497-10105-1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL25N15F4 | |
| 관련 링크 | STL25N, STL25N15F4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | RCLAMP0561Z.TNT | TVS DIODE | RCLAMP0561Z.TNT.pdf | |
![]() | RG2012P-3570-B-T5 | RES SMD 357 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012P-3570-B-T5.pdf | |
![]() | CMF5522K600BER670 | RES 22.6K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5522K600BER670.pdf | |
![]() | MS27467T23B53P | MS27467T23B53P DEUTSCH con | MS27467T23B53P.pdf | |
![]() | CTCQ143AT | CTCQ143AT RIVER 5 2X3 2 2 | CTCQ143AT.pdf | |
![]() | TA48L018F(TE12L) | TA48L018F(TE12L) TOSHIBA SMD or Through Hole | TA48L018F(TE12L).pdf | |
![]() | SC74004CV | SC74004CV SC PLCC | SC74004CV.pdf | |
![]() | LQW2BHN1N2S11L | LQW2BHN1N2S11L MURATA SMD | LQW2BHN1N2S11L.pdf | |
![]() | 7E03NB-3R6N | 7E03NB-3R6N SAGAMI SMD | 7E03NB-3R6N.pdf | |
![]() | RK73M2HTEJ4R7 | RK73M2HTEJ4R7 ORIGINAL SMD or Through Hole | RK73M2HTEJ4R7.pdf | |
![]() | K6F2016U4A-ZF10T00 | K6F2016U4A-ZF10T00 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6F2016U4A-ZF10T00.pdf |