창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL22N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL22N65M5 | |
| 기타 관련 문서 | STL22N65M5 View All Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 210m옴 @ 8.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1345pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-PowerFlat™ HV | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(8x8) HV | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-13600-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL22N65M5 | |
| 관련 링크 | STL22N, STL22N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | EL24045CSZ | EL24045CSZ INTERSIL SOP-8 | EL24045CSZ.pdf | |
![]() | OF6064 | OF6064 ORIGINAL DIP8 | OF6064.pdf | |
![]() | NY6M45MS3C | NY6M45MS3C AN SMD or Through Hole | NY6M45MS3C.pdf | |
![]() | LT2455M | LT2455M LT DIP8 | LT2455M.pdf | |
![]() | MAX515ESA-T | MAX515ESA-T MAXIM SOP | MAX515ESA-T.pdf | |
![]() | XP1026-BD-EV1 | XP1026-BD-EV1 MIMIX SMD or Through Hole | XP1026-BD-EV1.pdf | |
![]() | AM27256-15/-25DMB | AM27256-15/-25DMB ORIGINAL SMD or Through Hole | AM27256-15/-25DMB.pdf | |
![]() | ADG421BN | ADG421BN AD DIP | ADG421BN.pdf | |
![]() | 477M06DH | 477M06DH AVX SMD or Through Hole | 477M06DH.pdf | |
![]() | RHPG3060 | RHPG3060 ORIGINAL SMD or Through Hole | RHPG3060.pdf | |
![]() | KM418C256BLJ-7 | KM418C256BLJ-7 SEC SOJ | KM418C256BLJ-7.pdf | |
![]() | TLYH1050(T20) | TLYH1050(T20) TOSHIBA 5.2 L) 5.2(W) 4.0(H) | TLYH1050(T20).pdf |