창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL21N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STL21N65M5 | |
기타 관련 문서 | STL21N65M5 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
주요제품 | PowerFLAT™ 8x8 HV | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 179m옴 @ 8.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1950pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 3W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-PowerFlat™ HV | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(8x8) HV | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-10961-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STL21N65M5 | |
관련 링크 | STL21N, STL21N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | ELF-18D602 | 8.2mH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 1.7A DCR 226 mOhm (Typ) | ELF-18D602.pdf | |
![]() | CMF55575R00FKEB | RES 575 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55575R00FKEB.pdf | |
![]() | CF10C-561L | CF10C-561L KOR SMD | CF10C-561L.pdf | |
![]() | 2308AI2 | 2308AI2 ON TSSOP16 | 2308AI2.pdf | |
![]() | CY7C330-50WMB | CY7C330-50WMB CYPRESS DIP | CY7C330-50WMB.pdf | |
![]() | R5460N204AC-TR-F | R5460N204AC-TR-F RICOH SOT | R5460N204AC-TR-F.pdf | |
![]() | 2SC3357-T1-NEC-RE | 2SC3357-T1-NEC-RE NEC SOT-23 | 2SC3357-T1-NEC-RE.pdf | |
![]() | 70UR60D | 70UR60D IR SMD or Through Hole | 70UR60D.pdf | |
![]() | MB8086-2/B | MB8086-2/B INTEL CDIP | MB8086-2/B.pdf | |
![]() | TMS112CN | TMS112CN ST DIP | TMS112CN.pdf | |
![]() | 421DM-3253 | 421DM-3253 TELEDYNE SMD or Through Hole | 421DM-3253.pdf | |
![]() | D97 | D97 SGS SOT-23 | D97.pdf |