창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL20N6F7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL20N6F7 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ F7 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.4m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 78W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-16117-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL20N6F7 | |
| 관련 링크 | STL20, STL20N6F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 54060333400 | 3.3nH Unshielded Wirewound Inductor 800mA 40 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | 54060333400.pdf | |
![]() | CPCC0715R00JE66 | RES 15 OHM 7W 5% RADIAL | CPCC0715R00JE66.pdf | |
![]() | DF15B(0.8)-20DS-0.65V(56) | DF15B(0.8)-20DS-0.65V(56) HIROSE SMD or Through Hole | DF15B(0.8)-20DS-0.65V(56).pdf | |
![]() | TC790A | TC790A ORIGINAL DIP18 | TC790A.pdf | |
![]() | 195D156X0025Z2T(Z-15UF-25V) | 195D156X0025Z2T(Z-15UF-25V) VISHAY Z | 195D156X0025Z2T(Z-15UF-25V).pdf | |
![]() | K153K15X7RF5.L2 | K153K15X7RF5.L2 VISHAY DIP | K153K15X7RF5.L2.pdf | |
![]() | MAX491MJD | MAX491MJD MAXIM CDIP14 | MAX491MJD.pdf | |
![]() | NR-2C-10.368M-STD-CMB-4 | NR-2C-10.368M-STD-CMB-4 NDK SMD or Through Hole | NR-2C-10.368M-STD-CMB-4.pdf | |
![]() | VPMH03 | VPMH03 VISHAY SMD or Through Hole | VPMH03.pdf | |
![]() | DD110F-040 | DD110F-040 ORIGINAL SMD or Through Hole | DD110F-040.pdf | |
![]() | CY25100SXC-059T | CY25100SXC-059T CY SMD or Through Hole | CY25100SXC-059T.pdf |