창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL20DN10F7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL20DN10F7 | |
| 제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 67m옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.8nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 408pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 62.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-14967-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL20DN10F7 | |
| 관련 링크 | STL20D, STL20DN10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 4-1393800-1 | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) 6VDC Coil Socketable | 4-1393800-1.pdf | |
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![]() | RG3216V-4120-P-T1 | RES SMD 412 OHM 0.02% 1/4W 1206 | RG3216V-4120-P-T1.pdf | |
![]() | WW12FT33R2 | RES 33.2 OHM 0.4W 1% AXIAL | WW12FT33R2.pdf | |
![]() | SM2G338M64120 | SM2G338M64120 SAMWHA SMD or Through Hole | SM2G338M64120.pdf | |
![]() | SST36VF1601E-70-4C | SST36VF1601E-70-4C SST BGA | SST36VF1601E-70-4C.pdf | |
![]() | AWC-NB7410-P01 | AWC-NB7410-P01 SENERWORKS BGA | AWC-NB7410-P01.pdf | |
![]() | MX29LV040CQC70G | MX29LV040CQC70G MXIC SMD or Through Hole | MX29LV040CQC70G.pdf | |
![]() | BC413159A06-IXB-E4 | BC413159A06-IXB-E4 CSR BGA | BC413159A06-IXB-E4.pdf | |
![]() | M93S66-WMN3TP/S | M93S66-WMN3TP/S ST SMD or Through Hole | M93S66-WMN3TP/S.pdf | |
![]() | LQH32CN100K01 | LQH32CN100K01 MURATA SMD | LQH32CN100K01.pdf | |
![]() | AD9617AD | AD9617AD AD CDIP-8 | AD9617AD.pdf |