STMicroelectronics STL19N60DM2

STL19N60DM2
제조업체 부품 번호
STL19N60DM2
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP.,
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내부 부품 번호EIS-STL19N60DM2
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)3(168시간)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서STL19N60DM2
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체STMicroelectronics
계열MDmesh™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C11A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs320 m옴 @ 5.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs21nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대90W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력VDFN
공급 장치 패키지PowerFlat™(8x8) HV
표준 포장 3,000
다른 이름497-16361-2
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)STL19N60DM2
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