창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL18N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL18N65M5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 240m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1240pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 57W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-13967-2 STL18N65M5-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL18N65M5 | |
| 관련 링크 | STL18N, STL18N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | HSA252R7J | RES CHAS MNT 2.7 OHM 5% 25W | HSA252R7J.pdf | |
![]() | PMB4626V-G V1.1 | PMB4626V-G V1.1 INFINEON VQFN | PMB4626V-G V1.1.pdf | |
![]() | CM0046AB | CM0046AB ORIGINAL BGA | CM0046AB.pdf | |
![]() | 26-64-4090 (6Y) | 26-64-4090 (6Y) TYCO SMD or Through Hole | 26-64-4090 (6Y).pdf | |
![]() | FDS840P | FDS840P FAI SOP-8 | FDS840P.pdf | |
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![]() | TG-UTB00493S | TG-UTB00493S ORIGINAL SMD or Through Hole | TG-UTB00493S.pdf | |
![]() | DEMO-AT3/4-XX32 | DEMO-AT3/4-XX32 AVAGO SMD or Through Hole | DEMO-AT3/4-XX32.pdf | |
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