창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL17N3LLH6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL17N3LLH6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 8.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1690pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 497-10880-1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL17N3LLH6 | |
| 관련 링크 | STL17N, STL17N3LLH6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | FQP3N60C | MOSFET N-CH 600V 3A TO-220 | FQP3N60C.pdf | |
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![]() | KTR03EZPF11R0 | RES SMD 11 OHM 1% 1/10W 0603 | KTR03EZPF11R0.pdf | |
![]() | Y172550K0000V0L | RES 50K OHM 3/4W .005% AXIAL | Y172550K0000V0L.pdf | |
![]() | FQPF8N60CYDTU | FQPF8N60CYDTU FSC TO-220F | FQPF8N60CYDTU.pdf | |
![]() | TCSCS1C106MB(16V10UF) | TCSCS1C106MB(16V10UF) SAMSUNG B | TCSCS1C106MB(16V10UF).pdf | |
![]() | SN75C3232E | SN75C3232E TI SMD or Through Hole | SN75C3232E.pdf | |
![]() | M1P7080U0L | M1P7080U0L PANASONIC SMD or Through Hole | M1P7080U0L.pdf | |
![]() | SDC1704-111 | SDC1704-111 AD SMD or Through Hole | SDC1704-111.pdf | |
![]() | RN55D2000FTR1K | RN55D2000FTR1K VIS RES | RN55D2000FTR1K.pdf | |
![]() | 2N 3020 | 2N 3020 MOT CAN | 2N 3020.pdf |