창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL16N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL16N65M5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 299m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1250pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-PowerFlat™ HV | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(8x8) HV | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 497-12270-1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL16N65M5 | |
| 관련 링크 | STL16N, STL16N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | GL286F23CET | 28.63636MHz ±20ppm 수정 20pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL286F23CET.pdf | |
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![]() | B4B-2R-SM3-TF | B4B-2R-SM3-TF JST SMD or Through Hole | B4B-2R-SM3-TF.pdf | |
![]() | GAL18V10-20JI | GAL18V10-20JI US PLCC-20 | GAL18V10-20JI.pdf | |
![]() | HE1J688M30050HA180 | HE1J688M30050HA180 ORIGINAL SMD or Through Hole | HE1J688M30050HA180.pdf | |
![]() | DHS3-12-5 | DHS3-12-5 DC-DC SMD or Through Hole | DHS3-12-5.pdf | |
![]() | MX7538JEWG+ | MX7538JEWG+ MAXIM NA | MX7538JEWG+.pdf |