창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL16N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STL16N65M5 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 299m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1250pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 3W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-PowerFlat™ HV | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(8x8) HV | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 497-12270-1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STL16N65M5 | |
관련 링크 | STL16N, STL16N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | 2510-76J | 150µH Unshielded Inductor 49mA 19 Ohm Max 2-SMD | 2510-76J.pdf | |
![]() | TNPW201059K0BEEY | RES SMD 59K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201059K0BEEY.pdf | |
![]() | P51-200-G-L-P-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Vented Gauge Female - M10 x 1.25 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-200-G-L-P-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | AD502JH | AD502JH AD SMD or Through Hole | AD502JH.pdf | |
![]() | 3RM090M-6 | 3RM090M-6 BK SMD | 3RM090M-6.pdf | |
![]() | HK0603 22NJ | HK0603 22NJ TAIYO SMD or Through Hole | HK0603 22NJ.pdf | |
![]() | 4114R-001-332 | 4114R-001-332 BOURNS DIP14 | 4114R-001-332.pdf | |
![]() | TR-N3/3. 7......45A | TR-N3/3. 7......45A ORIGINAL SMD or Through Hole | TR-N3/3. 7......45A.pdf | |
![]() | AT24C256AN-10SU1.8 | AT24C256AN-10SU1.8 AT SOP-8 | AT24C256AN-10SU1.8.pdf | |
![]() | DS2E-S-12DC | DS2E-S-12DC ORIGINAL SMD or Through Hole | DS2E-S-12DC.pdf | |
![]() | A70P1600 | A70P1600 FERRAZ Module | A70P1600.pdf | |
![]() | MC33567D-1R2G | MC33567D-1R2G ON SOP8 | MC33567D-1R2G.pdf |