창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL15DN4F5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STL15DN4F5 | |
기타 관련 문서 | STL15DN4F5 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
주요제품 | STripFET™ Series V Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ V | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 7.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1550pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-10782-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STL15DN4F5 | |
관련 링크 | STL15D, STL15DN4F5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
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![]() | 55L512L18P | 55L512L18P ORIGINAL QFP | 55L512L18P.pdf | |
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![]() | M48T18Y-150PC1 | M48T18Y-150PC1 ORIGINAL DIP | M48T18Y-150PC1.pdf | |
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![]() | TPMP003 | TPMP003 ORIGINAL SMD or Through Hole | TPMP003.pdf | |
![]() | 6.3SEV2200M12.5X16 | 6.3SEV2200M12.5X16 Rubycon DIP-2 | 6.3SEV2200M12.5X16.pdf | |
![]() | 2SD2607 | 2SD2607 ROHM SMD or Through Hole | 2SD2607.pdf |