창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL15DN4F5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL15DN4F5 | |
| 기타 관련 문서 | STL15DN4F5 View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
| 주요제품 | STripFET™ Series V Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ V | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1550pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-10782-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL15DN4F5 | |
| 관련 링크 | STL15D, STL15DN4F5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | RT0805BRD0711K5L | RES SMD 11.5K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRD0711K5L.pdf | |
![]() | MCR10ERTF7323 | RES SMD 732K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10ERTF7323.pdf | |
![]() | AT22V10B | AT22V10B ATMEL PLCC28 | AT22V10B.pdf | |
![]() | SK10-4805D | SK10-4805D ORIGINAL SMD or Through Hole | SK10-4805D.pdf | |
![]() | 1PMT12AT1 | 1PMT12AT1 ON 457-04 | 1PMT12AT1.pdf | |
![]() | ESW10823GS | ESW10823GS NEC SMD | ESW10823GS.pdf | |
![]() | 2SC1775A | 2SC1775A RENESAS TO-92 | 2SC1775A.pdf | |
![]() | LGT770HK | LGT770HK SIEMENS SMD or Through Hole | LGT770HK.pdf | |
![]() | CL32F106Z0HNNNE | CL32F106Z0HNNNE Samsung SMD | CL32F106Z0HNNNE.pdf | |
![]() | BF290 | BF290 ORIGINAL SMD or Through Hole | BF290.pdf | |
![]() | TL072MUB | TL072MUB TI CFP | TL072MUB.pdf | |
![]() | CY27H010-55WI | CY27H010-55WI CYPRESS DIP | CY27H010-55WI.pdf |