창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL120N2VH5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL120N2VH5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ V | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 14A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 700mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(2.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4660pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 80W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerSMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 497-12978-1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL120N2VH5 | |
| 관련 링크 | STL120, STL120N2VH5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | PMRH | PMRH N/A MSOP8 | PMRH.pdf | |
![]() | AEM8809HEHA | AEM8809HEHA analogmicro SOP | AEM8809HEHA.pdf | |
![]() | LX8384-OOCDD | LX8384-OOCDD LX TO263-3 | LX8384-OOCDD.pdf | |
![]() | DCE015-SHP | DCE015-SHP SANYO TO-92 | DCE015-SHP.pdf | |
![]() | TAJK226K004R | TAJK226K004R AVX SMD or Through Hole | TAJK226K004R.pdf | |
![]() | 23C1000AG | 23C1000AG NEC SOP28 | 23C1000AG.pdf | |
![]() | 1KV561K | 1KV561K WM Y5P | 1KV561K.pdf | |
![]() | EEUFC1C822 | EEUFC1C822 ORIGINAL DIP | EEUFC1C822.pdf | |
![]() | AD7875BN | AD7875BN AD DIP | AD7875BN.pdf | |
![]() | BD82000FVJ-E2 | BD82000FVJ-E2 RHM SMD or Through Hole | BD82000FVJ-E2.pdf | |
![]() | PS61151DRCR | PS61151DRCR TI/BB QFN10 | PS61151DRCR.pdf | |
![]() | D70216HGF | D70216HGF NEC QFP | D70216HGF.pdf |