창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL110N10F7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL110N10F7 | |
| 제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
| 주요제품 | S TripFET F7 Series Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 107A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5117pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 136W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerSMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-13877-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL110N10F7 | |
| 관련 링크 | STL110, STL110N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 4w | 4w ORIGINAL SMD or Through Hole | 4w.pdf | |
![]() | OMF63V400mA | OMF63V400mA SCHURTER SOJ2 | OMF63V400mA.pdf | |
![]() | 103M/2KV | 103M/2KV ELPLDA DIP-2 | 103M/2KV.pdf | |
![]() | SP26LV431CN-L/TR | SP26LV431CN-L/TR EXAR SOP16 | SP26LV431CN-L/TR.pdf | |
![]() | AM26C32QDG4 | AM26C32QDG4 TI SOP16 | AM26C32QDG4.pdf | |
![]() | TD610AI | TD610AI ORIGINAL SOP-16 | TD610AI.pdf | |
![]() | 6516-A | 6516-A N/A SOP-8 | 6516-A.pdf | |
![]() | ICL3238ECVZ-T | ICL3238ECVZ-T Intersil TSSOP28 | ICL3238ECVZ-T.pdf | |
![]() | C8051F921-GM | C8051F921-GM SIL SMD or Through Hole | C8051F921-GM.pdf | |
![]() | 2SD596-T1B/DV4/DV5 | 2SD596-T1B/DV4/DV5 NEC sot-23 | 2SD596-T1B/DV4/DV5.pdf | |
![]() | KA1H0625R | KA1H0625R FSC TO-220F-4 | KA1H0625R.pdf |